Une entreprise américaine mystérieuse a fait appel à Samsung pour fabriquer des puces de datacenter à l’aide de son processus de fabrication de 3 nm. Selon un rapport du partenaire de solutions de conception AD Technology, cela implique le développement d’une partie de serveur 2,5D qui utilise la conception de transistor gate-all-around (GAA) de Samsung, introduite l’année dernière avec sa technologie de processus de 3 nm. AD Technology se spécialise dans la conception et la mise en œuvre d’intercalaires en silicium, une forme d’emballage avancé. Ils sont souvent utilisés pour connecter des puces de calcul, comme les GPUs, avec une mémoire à large bande passante (HBM) sur la distance la plus courte possible. Cela suggère que le silicium pourrait être utilisé dans un accélérateur IA ou dans une autre application à bande passante limitée. «Ce projet de trois nanomètres sera l’un des plus importants projets de semi-conducteurs de l’industrie», a commenté Joon-gyu Park, PDG d’AD Technology. «Je pense que cette expérience de design de trois nanomètres et de 2,5D sera une grande arme qui différenciera AD Technology des autres entreprises à l’avenir.» Pour Samsung, la signature du contrat est importante car une grande partie du silicium de datacenter utilisant un emballage avancé est fabriquée par TSMC. Cela ne veut pas dire que Samsung n’a pas connu de succès dans ce domaine – Baidu et Samsung ont travaillé sur un accélérateur IA équipé d’HBM pour le datacenter il y a quelques années.
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