Les chercheurs affirment avoir découvert un moyen de produire des semi-conducteurs en utilisant le graphène, ce qui pourrait, à une étape ultérieure, permettre de créer des dispositifs performants capables de surpasser ceux fabriqués à base de silicium. Le graphène est depuis longtemps considéré comme un matériau potentiellement capable de surpasser le silicium en termes de mobilité électronique, mais les tentatives de production de semi-conducteurs de haute qualité à partir de ce matériau se sont avérées infructueuses, poussant ainsi les efforts de recherche vers d’autres matériaux bidimensionnels (c’est-à-dire d’une épaisseur atomique unique).
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Le problème était que le graphène est un semi-conducteur sans bande interdite, c’est-à-dire qu’il n’y a pas de différence d’énergie entre les bandes d’énergie faible et élevée que les électrons sont amenés à franchir dans les semi-conducteurs utiles présents dans les puces informatiques. L’une des raisons pour lesquelles les composants en carbure de silicium (SiC) sont si populaires, par exemple, réside dans leur grande bande interdite. Maintenant, un groupe de chercheurs prétend avoir développé une méthode pour produire une couche de graphène sur une plaquette de carbure de silicium (SiC) afin de former un semi-conducteur avec une bande interdite de 0,6 eV et une mobilité électronique à température ambiante plus élevée que celle des autres semi-conducteurs bidimensionnels.
