Une mystérieuse entreprise américaine a fait appel à Samsung pour fabriquer des puces de datacenter à l’aide de son processus de fabrication 3 nm. Cela ressort d’un rapport du partenaire de conception AD Technology, qui prévoit le développement d’une puce serveur 2,5 D utilisant la conception de transistor gate-all-around (GAA) de Samsung, introduite avec sa technologie de processus 3 nm l’année dernière. AD Technology se spécialise dans la conception et la mise en œuvre d’intercalaires en silicium, une forme d’emballage avancé. Ils sont souvent utilisés pour connecter des puces de calcul, comme les GPUs, à une mémoire à large bande passante (HBM) sur la distance la plus courte possible. Cela suggère que le silicium pourrait être utilisé dans un accélérateur IA ou dans une autre application à débit contraint. «Ce projet de trois nanomètres sera l’un des plus importants projets de semi-conducteurs de l’industrie», a déclaré Joon-gyu Park, PDG d’AD Technology. «Je pense que cette expérience de design en trois nanomètres et en 2,5 D sera une grande arme qui permettra de différencier AD Technology des autres entreprises à l’avenir.» Pour Samsung, la signature du contrat est importante car une grande partie du silicium de datacenter faisant appel à un emballage avancé est fabriquée par TSMC. Ce n’est pas pour autant que Samsung n’a pas connu de succès dans ce domaine: Baidu et Samsung ont travaillé sur un accélérateur IA équipé d’une HBM pour le datacenter il y a quelques années.
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