Les chercheurs affirment avoir découvert un moyen de produire des semi-conducteurs en utilisant du graphène, ce qui pourrait, à terme, permettre de fabriquer des dispositifs performants capables de surpasser ceux en silicium. Le graphène a depuis longtemps été considéré comme un matériau potentiellement supérieur au silicium en termes de mobilité électronique, mais les efforts visant à produire des semi-conducteurs de haute qualité à partir de celui-ci se sont révélés infructueux, poussant ainsi les recherches vers d’autres matériaux bidimensionnels (c’est-à-dire d’une épaisseur d’un seul atome).
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Le problème était que le graphène est un semi-conducteur sans bande interdite, c’est-à-dire sans intervalle entre les bandes d’énergie faible et élevée que les électrons sont amenés à traverser dans les semi-conducteurs utiles que l’on trouve dans les puces informatiques. L’une des raisons pour lesquelles les composants en carbure de silicium (SiC) sont si populaires, par exemple, est en raison de leur large bande interdite. Maintenant, un groupe de chercheurs prétend avoir développé une méthode pour produire une couche de graphène sur une plaquette de carbure de silicium (SiC) afin de former un semi-conducteur avec une bande interdite de 0,6 eV et une mobilité électronique à température ambiante supérieure à celle des autres semi-conducteurs bidimensionnels.
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