Les chercheurs affirment avoir découvert une méthode pour produire des semi-conducteurs à l’aide de graphène, qui pourrait, à un stade ultérieur, fournir des dispositifs haute performance capables de surpasser ceux fabriqués à partir de silicium. Le graphène suscite depuis longtemps des espoirs en tant que matériau potentiel pouvant surpasser le silicium en termes de mobilité électronique, mais les tentatives de produire des semi-conducteurs de haute qualité à partir de celui-ci se sont révélées infructueuses, poussant les efforts de recherche vers d’autres matériaux bidimensionnels (c’est-à-dire un atome d’épaisseur).
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Le problème était que le graphène est un semi-conducteur sans bande interdite, autrement dit, sans « bandgap », qui est une plage d’énergie entre les bandes de basse énergie et de haute énergie que les électrons sont induits à traverser dans les semi-conducteurs utiles des puces informatiques. Par exemple, l’un des motifs pour lesquels les composants en carbure de silicium (SiC) sont si populaires est en raison de leur large bande interdite. Désormais, un groupe de chercheurs prétend avoir développé une méthode permettant de produire une couche de graphène sur une plaquette de carbure de silicium (SiC) pour former un semi-conducteur avec une bande interdite de 0,6 eV et une mobilité électronique à température ambiante supérieure à celle des autres semi-conducteurs bidimensionnels.
