Samsung a dévoilé ses modules de mémoire LPDDR5X améliorés, qui offrent des performances, une capacité et une efficacité améliorées. Les améliorations ont été réalisées grâce au passage au processus de nœud de 12 nm du géant des semi-conducteurs, alors que la première série de RAM LPDDR5X de Samsung était fabriquée sur 14 nm. La mise à niveau vers 12 nm, bien qu’elle ne représente pas un pas particulièrement important, a entraîné une hausse de près de 26 % des performances, passant de 8,5 Gbps à 10,7 Gbps. Samsung affirme que l’efficacité énergétique du kit a augmenté de manière significative de 25 % grâce à une variation de puissance plus optimale en fonction de la charge de travail (essentiellement comme le font les processeurs et les GPU modernes) et à des périodes plus longues de fonctionnement en mode basse consommation. Bien sûr, le passage à un nœud légèrement plus petit a probablement également joué un rôle dans la plus grande efficacité des nouveaux modules LPDDR5X de Samsung. Les nouvelles puces LPDDR5X apportent également d’importants changements en termes de capacité, qui est désormais de 32 Go par puce. Lorsque Samsung a lancé ses tout premiers modules LPDDR5X à la fin de l’année 2021, la capacité maximale était de 2 Go, et cette limite a finalement été portée à 16 Go d’ici 2023. Contrairement à SK Hynix, qui a sorti ses propres puces LPDDR5X de 24 Go en août, Samsung n’a jamais cherché à fabriquer des puces de 24 Go. Les appareils sont actuellement limités à un maximum de 32 puces LPDDR5X (ou du moins, nous n’avons pas vu plus de 32 utilisées en même temps), de sorte que la capacité mémoire maximale avec le LPDDR5X est passée de 512 Go à un téraoctet complet. Cette utilisation peut sembler absurde étant donné que le LPDDR a traditionnellement été destiné aux ordinateurs portables et aux smartphones, mais le LPDDR5X a déjà été utilisé pour le Grace-Hopper GH200 de Nvidia, qui utilise 30 puces LPDDR5X pour fournir à la CPU Grace 480 Go de mémoire.
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