Une mystérieuse entreprise américaine a fait appel à Samsung pour fabriquer des puces de datacenter à l’aide de son processus de fabrication de 3 nm. Cela ressort d’un rapport du partenaire de solutions de conception AD Technology, qui prévoit le développement d’une partie de serveur 2,5 D qui utilise la conception de transistor GAA (gate-all-around) de Samsung, introduite avec sa technologie de processus de 3 nm l’année dernière. AD Technology se spécialise dans la conception et la mise en œuvre de jonctions de silicium – un type d’emballage avancé. Ils sont souvent utilisés pour connecter des tranches de calcul, comme les GPUs, à une mémoire à large bande passante (HBM) sur la distance la plus courte possible. Cela suggère que le silicium pourrait être utilisé dans un accélérateur d’IA ou dans une autre application à débit limité. «Ce projet de trois nanosera l’un des plus importants projets de semi-conducteurs de l’industrie», a déclaré Joon-gyu Park, PDG d’AD Technology. «Je pense que cette expérience de design de 3 nm et de 2,5 D sera une grande arme qui permettra de différencier AD Technology d’autres entreprises à l’avenir.» Pour Samsung, la signature du contrat est importante car une grande partie du silicium de datacenter qui fait appel à un emballage avancé est fabriquée par TSMC. Ce n’est pas pour autant que Samsung n’a pas connu de succès dans ce domaine – Baidu et Samsung ont travaillé sur un accélérateur d’IA équipé d’une HBM pour le datacenter il y a quelques années.
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Un ouragan frappant le désert n’était pas sur la carte de bingo de Burner de quiconque pour 2023. Burning Man,