La mémoire High-bandwidth memory (HBM) leader SK hynix prévoit de construire une installation de conditionnement avancée dans l’Indiana, dont le coût est estimé à 4 milliards de dollars et qui devrait être opérationnelle en 2028 pour potentiellement conditionner du HBM haut de gamme. Il est connu depuis un certain temps que SK hynix était intéressée par la construction d’une nouvelle installation dans l’Indiana, mais selon le Wall Street Journal, le conseil d’administration de l’entreprise est finalement prêt à voter à ce sujet. L’usine de conditionnement avancé sera implantée à West Lafayette, près de l’Université Purdue. SK hynix investira apparemment 4 milliards de dollars dans son usine de l’Indiana, avec un soutien financier supplémentaire des avantages fiscaux de l’État et du gouvernement fédéral, et peut-être même une partie des 3 milliards de dollars du dispositif CHIPS Act réservés aux installations de conditionnement basées aux États-Unis. Le site pourrait être prêt pour le conditionnement dès 2028. SK hynix n’avait pas encore répondu au moment de la publication, mais nous mettrons à jour cette histoire s’il répond. Il est probable que l’installation de l’Indiana de SK hynix sera utilisée pour le HBM, l’un des produits de mémoire les plus vendus de l’entreprise. Le conditionnement est une étape critique dans la fabrication des processeurs, et les services de conditionnement peuvent être très lucratifs grâce à une forte demande à l’ère de l’informatique AI. Une fois terminée (et en supposant qu’elle soit utilisée pour le conditionnement du HBM), l’usine serait la première grande installation de conditionnement de HBM aux États-Unis.
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