Les chercheurs affirment avoir découvert un moyen de produire des semi-conducteurs en utilisant le graphène qui, à un certain stade plus avancé, pourrait fournir des appareils à haute performance capables de surpasser ceux fabriqués à partir de silicium. Le graphène a depuis longtemps été promis en tant que matériau potentiel capable de surpasser le silicium en termes de mobilité électronique, mais les efforts visant à produire à partir de celui-ci des semi-conducteurs de haute qualité se sont révélés infructueux, conduisant les efforts de recherche à se tourner vers d’autres matériaux bidimensionnels (c’est-à-dire d’épaisseur atomique unique).
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Le problème résidait dans le fait que le graphène est un semi-conducteur sans gap, c’est-à-dire un espace entre les bandes d’énergies faibles et élevées que les électrons sont amenés à traverser dans les semi-conducteurs utiles que l’on trouve dans les puces informatiques. Une des raisons pour lesquelles les composants en carbure de silicium (SiC) sont si populaires, par exemple, est en raison de leur large gap. Maintenant, un groupe de chercheurs prétend avoir développé une méthode pour produire une couche de graphène sur une tranche de carbure de silicium (SiC) afin de former un semi-conducteur avec un gap de 0,6 eV et avec une mobilité électronique à température ambiante supérieure à celle des autres semi-conducteurs bidimensionnels.
